题目:二维电子材料与微纳电子器件
报告人:常海欣 教授
时间:2025年10月10日15:00—16:30
地点:文昌校区工训3号楼301会议室
报告摘要:本次报告将介绍二维材料的发现及其微纳电子器件的总括介绍与相关最新研究。从石墨烯、二硫化钼到二维磁性材料,包含二维半导体晶体管、二维光电晶体管、二维传感器、二维磁性、二维自旋电子学等方面的微纳电子器件最新进展。
报告人简介:常海欣,华中科技大学教授,国家海外高层次人才计划特聘专家,2020-2024年连续5年 elsevier 爱思唯尔中国高被引学者,4次入选全球前2%顶尖科学家(world’s top 2% scientists,2020,2021,2024-2025),国际先进材料联合会会士iaam fellow。主要研究领域为二维电子信息与电子器件、量子信息与微纳电子器件、mram集成电路与存储芯片(国家卡脖子集成电路技术)。在nature子刊、cell子刊等发表论文150余篇,引用10000余次,esi热点论文与高被引论文10余篇,获得多位诺贝尔物理奖得主、多位院士和nature等的认可与高度正面评价引用。获国家海外高层次人才计划、科技部973计划、国家重点研发计划、国家自然科学基金等资助。二维铁磁性是量子自旋电子学自巨磁阻效应获2007年诺贝尔物理奖后最重要的发现之一,常海欣团队发现了全球首批室温与超室温二维铁磁性及其二维铁磁量子晶体,被广泛认为是二维铁磁性量子领域最为重要的三个原创性发现之一。独立首次发现了拓扑量子态与维度依赖的直接电流反常霍尔效应、巨二维斯格明子拓扑霍尔效应,有望促进量子力学与广义相对论的融合研究。